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晶体管工作原理
晶体管工作原理--场效应晶体管 场效应晶体管，英语名称为FieldEffectTransistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道，接下来我们就以N沟道结型场效应管为例来对场效应管的工作原理进行说明。
PNP晶体管的工作原理图如下所示：PNP晶体管工作原理图当外接电源Vcc的正极连接到P区时，P区会变成正电荷区，中间的N区会成为负电荷区。此时，如果在基极和发射极之间加上一个小电流，即基极电流Ib，就会使得基极与发射极之间的电阻变小，形成一个漏电流，即集电极电流Ic。
其工作原理是：首先，电源作用于发射结上使得发射结正向偏置，发射区的自由电子不断的流向基区，形成发射极电流。其次，自由电子由发射区流向基区后，先聚集在发射结附近，但随着此处自由电子的增多，在基区内部形成了电子浓度差，使得自由电子在基区中由发射结逐渐流向集电结，形成集电极电流。
薄膜晶体管的原理：薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管。它的工作状态可以利用Weimer表征的单晶硅MOSFET工作原理来描述。以n沟MOSFET为例，物理结构如图2。当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电力线由栅电极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷。
理论原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。
晶体管的工作原理 放大状态下晶体管中载流子的传输过程 当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下，管内载流子的运动情况可用下图说明 ①.发射区向基区注入电子 /EP /EN ，发射极电流/E^/EN。
合金晶体管和平面晶体管哪个更容易发生基区穿通
合金晶体管。对于各种晶体管，在较高集电结电压时容易发生的是合金晶体管。晶体管是一种固体半导体器件，具有检测、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
- 点接触晶体管：最初的晶体管之一，现代已很少使用。- 合金型晶体管：使用硅或锗与铝、金等金属合金为材质制成，也较少用了。- 扩散型晶体管：现代工艺中多用的制造方式，通过将不同的杂质扩散到半导体晶体中制造出PN结。
通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。（四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。
对于合金晶体管，集电结可很好的近似为单边突变结。但是，对于双扩散平面晶体管，因为基区的掺杂浓度高于集电区，则BVcbo主要决定于集电区的掺杂浓度。然而，由于集电结不一定是典型的单边突变结，则这时击穿电压的计算较为复杂。
根据结构和制造工艺的不同可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管；其还可根据电流容量的不同、工作频率的不同、封装结构的不同等分类方式分为不同的种类。但晶体管多指晶体三极管，主要分为双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)，接下来我们就以BJT和FET为例来讲述晶体管的工作原理。
对于基区掺杂浓度分布均匀的晶体管（例如合金晶体管）而言，引起其在大电流下电流放大系数b下降的主要原因就是Webster效应。不过，对于Si平面晶体管，由于基区掺杂浓度较高一些，所以Webster效应的影响往往较小（这时，引起大电流时b下降的主要原因是Kirk效应）。
三极管的分类
1、按材质分： 硅管、锗管 按结构分： NPN 、 PNP。
2、复合 管是 分别选用各种极性的三极管进行连接，在组成复合三极管时，不管选用什么样的三极管，这些三极管都按照一定的方式连接，可以看成是一个拥有更高放大倍数的三极管。组合复合 管时，应注意第一只管子的发射极电流方向必须与第二只管子的基极电流方向一致。复合 管的极性取决以第一只管子。
3、三极管的分类：a.按材质分： 硅管、锗管 b.按结构分： NPN 、 PNP。
4、材质划分 按材质划分，三极管可分为硅管材质的三极管和锗管材质的三极管两种。按照结构划分 按照结构划分，三极管可分NPN型三极管和PNP型三极管两种。按照功能划分 按照功能划分，三极管可分为开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。
5、按照极性分类：三极管可以分为NPN型和PNP型两种，根据控制电流的极性和电子流动方向来区分。 按照封装形式分类：三极管可以分为不同的封装形式，如TO-9TO-12TO-2SOT-23等，不同的封装形式适用于不同的应用场景。
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